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DEFECT REDUCTION OF NON-POLAR AND SEMI-POLAR III-NITRIDES WITH SIDEWALL LATERAL EPITAXIAL OVERGROWTH(SLEO) 実績あり

外国特許コード F110004825
整理番号 E06713WO
掲載日 2011年7月22日
出願国 大韓民国
出願番号 20077030280
公報番号 20080017056
出願日 平成19年12月26日(2007.12.26)
公報発行日 平成20年2月25日(2008.2.25)
優先権データ
  • 20050685952P (2005.5.31) US
発明の名称 (英語) DEFECT REDUCTION OF NON-POLAR AND SEMI-POLAR III-NITRIDES WITH SIDEWALL LATERAL EPITAXIAL OVERGROWTH(SLEO) 実績あり
発明の概要(英語)

A method of reducing threading dislocation densities in non-polar such as a-{11-20} plane and m-{l-100} plane or semi-polar such as {10-In} plane Ill-Nitrides by employing lateral epitaxial overgrowth from sidewalls of etched template material through a patterned mask. The method includes depositing a patterned mask on a template material such as a non-polar or semi polar GaN template, etching the template material down to various depths through openings in the mask, and growing non-polar or semi-polar El-Nitride by coalescing laterally from the tops of the sidewalls before the vertically growing material from the trench bottoms reaches the tops of the sidewalls. The coalesced features grow through the openings of the mask, and grow laterally over the dielectric mask until a fully coalesced continuous film is achieved.

  • 出願人(英語)
  • THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA,
  • JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
  • 発明者(英語)
  • IMER BILGE M,
  • SPECK JAMES S,
  • DENBAARS STEVEN P
国際特許分類(IPC)
参考情報 (研究プロジェクト等) ERATO NAKAMURA Inhomogeneous Crystal AREA
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