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SPIN TRANSISTOR USING SPIN FILTER EFFECT AND NONVOLATILE MEMORY USING SPIN TRANSISTOR

外国特許コード F110004841
整理番号 K02003KR
掲載日 2011年7月22日
出願国 大韓民国
出願番号 20057001401
公報番号 20050025996
公報番号 100977829
出願日 平成15年7月25日(2003.7.25)
公報発行日 平成17年3月14日(2005.3.14)
公報発行日 平成22年8月24日(2010.8.24)
優先権データ
  • 特願2002-217336 (2002.7.25) JP
  • 特願2003-086145 (2003.3.26) JP
発明の名称 (英語) SPIN TRANSISTOR USING SPIN FILTER EFFECT AND NONVOLATILE MEMORY USING SPIN TRANSISTOR
発明の概要(英語)

A spin transistor comprising a spin injector for injecting carriers, as hot carriers, having a spin parallel to the spin band constituting the band edge of a first ferromagnetic barrier layer from a first nonmagnetic electrode into a second nonmagnetic electrode layer and a spin analyzer for conducting, by the spin split at the band edge of a second ferromagnetic barrier layer, the hot carriers to a third nonmagnetic electrode when the direction of the spin of the spin-polarized hot carriers injected into the second nonmagnetic electrode is parallel to the direction of the spin of the spin band at the band edge of the second ferromagnetic barrier layer and not conducting the hot carriers to the third nonmagnetic electrode when the direction of the spin of the spin-polarized hot carriers is anti- parallel to the direction of the spin injected into the second magnetic electrode.

A storage device using the spin transistor is also disclosed.

  • 出願人(英語)
  • JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
  • 発明者(英語)
  • SUGAHARA, SATOSHI,
  • TANAKA, MASAAKI
国際特許分類(IPC)
参考情報 (研究プロジェクト等) PRESTO Nanostructure and Material Property AREA
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