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METHOD AND DEVICE FOR GROWING HIGH-QUALITY MONOCRYSTAL 実績あり

外国特許コード F110004882
整理番号 Y0002RU
掲載日 2011年7月22日
出願国 ロシア連邦
出願番号 2001134296
公報番号 2209860
出願日 平成12年5月22日(2000.5.22)
公報発行日 平成15年8月10日(2003.8.10)
優先権データ
  • 特願平11-178815 (1999.5.22) JP
発明の名称 (英語) METHOD AND DEVICE FOR GROWING HIGH-QUALITY MONOCRYSTAL 実績あり
発明の概要(英語)

FIELD: production of crystals . SUBSTANCE: growing monocrystal is performed by bringing seed crystal 4 in contact with melt 2 of raw material molten in crucible 1 where element 5 made in form of blade or partition is located

monocrystal is grown by drawing it from melt 2 of raw materials during rotation of crucible 1. EFFECT: enhanced efficiency

improved characteristics of crystal. 12 cl, 7 dwg

  • 出願人(英語)
  • JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
  • 発明者(英語)
  • SASAKI TAKAMOTO,
  • MORI JUSUKE,
  • JOSHIMURA MASASHI
国際特許分類(IPC)
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