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Method and apparatus for growing high quality single crystal 実績あり

外国特許コード F110004887
整理番号 Y0002TW
掲載日 2011年7月22日
出願国 台湾
出願番号 89109805
公報番号 538148
出願日 平成12年5月22日(2000.5.22)
公報発行日 平成15年6月21日(2003.6.21)
優先権データ
  • 特願平11-178815 (1999.5.22) JP
発明の名称 (英語) Method and apparatus for growing high quality single crystal 実績あり
発明の概要(英語)

In a method for growing a single crystal by bringing a seed crystal (4) into contact with a melt (2) of raw materials melted under heating in a crucible (1), a blade member (5) or a baffle member is disposed in the raw material melt (2) in the crucible (1) and a single crystal is grown by pulling up it with rotating the crucible (1) to thereby grow various single crystals including CLBO from the highly viscous raw material melt (2) as high quality and high performance crystals.

  • 出願人(英語)
  • JAPAN SCIENCE AND TECHNOLGY CORPORATION
  • 発明者(英語)
  • SASAKI, TAKATOMO,
  • MORI, YUSUKE,
  • YOSHIMURA, MASASHI
国際特許分類(IPC)
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