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SiC SEMICONDUCTOR DEVICE

外国特許コード F110004906
整理番号 RP11P18KR
掲載日 2011年7月22日
出願国 大韓民国
出願番号 20010070801
公報番号 20020037447
公報番号 100860891
出願日 平成13年11月14日(2001.11.14)
公報発行日 平成14年5月21日(2002.5.21)
公報発行日 平成20年9月29日(2008.9.29)
優先権データ
  • 特願2000-346455 (2000.11.14) JP
発明の名称 (英語) SiC SEMICONDUCTOR DEVICE
発明の概要(英語)

PURPOSE: To provide a semiconductor device which is constituted in an embedded channel region type transistor that is normally not turned on and has a high hot carrier resistance, a high punch through resistance, or high channel mobility, by optimizing the structure of a buried channel type MIS transistor using a silicon carbide substrate or the plane orientation of the substrate. CONSTITUTION: In the MIS transistor, using the P-type silicon carbide semiconductor substrate, an embedded channel area is formed. In order to obtain high mobility, by optimizing the formed depth of the buried channel area, the ratio (Lbc/Xj) of the junction depth (Lbc) of the buried channel area to the junction depth (Xj) of source and drain areas is adjusted to be 0.2-1.0. In addition, the MIS transistor is formed on the (1,1,-2,0) face of hexagonal or rhombohedral silicon carbide.

  • 出願人(英語)
  • JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY CORPORATION,
  • NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCEAND TECHNOLOGY
  • 発明者(英語)
  • ADACHI KAZUHIRO,
  • ARAI KAZUO,
  • FUKUDA KENJI,
  • HARADA SHINSUKE,
  • KOSUGI RYOJI,
  • SENZAKI JUNJI
国際特許分類(IPC)
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