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SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT AND ULTRASONIC SENSOR

外国特許コード F110004939
整理番号 Y0371WO
掲載日 2011年7月25日
出願国 大韓民国
出願番号 20057017467
公報番号 20050106121
公報番号 100738852
出願日 平成17年9月16日(2005.9.16)
公報発行日 平成17年11月8日(2005.11.8)
公報発行日 平成19年7月12日(2007.7.12)
優先権データ
  • 特願2003-071584 (2003.3.17) JP
発明の名称 (英語) SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT AND ULTRASONIC SENSOR
発明の概要(英語)

A semiconductor element, a semiconductor sensor and a semiconductor memory element in which an MFMIS structure having a lower electrode can be integrated with an integrated circuit. A gamma-Al2O3 single crystal film (2) is grown epitaxially on a semiconductor single crystal substrate (1), and a single crystal Pt thin film (3) is grown epitaxially on thegamma-Al2O3 single crystal film (2).

  • 出願人(英語)
  • JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
  • 発明者(英語)
  • ISHIDA MAKOTO,
  • SAWADA KAZUAKI,
  • AKAI DAISUKE,
  • YOKAWA MIKAKO,
  • HIRABAYASHI KEISUKE
国際特許分類(IPC)
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