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QUANTUM NANO-COMPOSITE SEMICONDUCTOR LASER AND QUANTUMNANO-COMPOSITE ARRAY

外国特許コード F110004943
整理番号 A042-50KR
掲載日 2011年7月27日
出願国 大韓民国
出願番号 20047013359
公報番号 20040102018
公報番号 100967977
出願日 平成16年8月26日(2004.8.26)
公報発行日 平成16年12月3日(2004.12.3)
公報発行日 平成22年6月28日(2010.6.28)
国際出願番号 PCT/JP2003/001975
国際公開番号 WO 2003/073570
国際出願日 平成15年2月24日(2003.2.24)
国際公開日 平成15年9月4日(2003.9.4)
優先権データ
  • 特願2002-051548 (2002.2.27) JP
発明の名称 (英語) QUANTUM NANO-COMPOSITE SEMICONDUCTOR LASER AND QUANTUMNANO-COMPOSITE ARRAY
発明の概要(英語) Each about the light progressive direction (Is) of the laser light launched is that the multiple quantum wires (11) by the III- Ⅴgroup compound selective growth is formed in each the upper part of the V-groove of the grooved semiconductor substrate in which the mutual has multiple V-grooves parallelly established along the light progressive direction (Is) it is extended to the orthogonal direction. The mutual establishes the quantum wire (11) of these pluralities as an annex within the medium of the laser enable layer to the cycle of the integral multiple of 1/4 of the wavelength along the light progressive direction (Is). The quantum wire (11) does to the active layer area of the restricted length corresponding to the stripe width of the respective laser. Therefore, preferably whereas it is provided to the convention both these both sides nanostructure semiconductor array which it more can satisfy is provided with at least one of stabilization of the oscillation frequency and change to low critical value.
  • 出願人(英語)
  • NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY
  • JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
  • 発明者(英語)
  • OGURA,Mutsuo
国際特許分類(IPC)
参考情報 (研究プロジェクト等) CREST Quantum Effects and Related Physical Phenomena AREA
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