TOP > 外国特許検索 > Method for wafer bonding (AlN, InN, GaN, AlInN, AlGaN, InGaN, or AlInGaN) and (ZnS, ZnSe, or ZnSSe) for optoelectronic applications

Method for wafer bonding (AlN, InN, GaN, AlInN, AlGaN, InGaN, or AlInGaN) and (ZnS, ZnSe, or ZnSSe) for optoelectronic applications 実績あり

外国特許コード F110004951
整理番号 E06706WO
掲載日 2011年7月27日
出願国 大韓民国
出願番号 20077002863
公報番号 20070064424
公報番号 101244754
出願日 平成19年2月5日(2007.2.5)
公報発行日 平成19年6月20日(2007.6.20)
公報発行日 平成25年3月12日(2013.3.12)
国際出願番号 PCT/US2005/023802
国際公開番号 WO 2006/014421
国際出願日 平成17年7月6日(2005.7.6)
国際公開日 平成18年2月9日(2006.2.9)
優先権データ
  • 20040585673P (2004.7.6) US
発明の名称 (英語) Method for wafer bonding (AlN, InN, GaN, AlInN, AlGaN, InGaN, or AlInGaN) and (ZnS, ZnSe, or ZnSSe) for optoelectronic applications 実績あり
発明の概要(英語) (The alN, inN, gaN, alInN, alGaN, inGaN or the AlInGaN) Method forming the structure of being bonded with wafer between (the ZnS, and the ZnSe or the ZnSSe). Relatively, the high reflectivity and dispersed Bragg reflection (DBR) having conductivity can be manufactured about the optical short wavelength using (the ZnS, and the ZnSe or the ZnSSe) and MgS / (the ZnSe, and the CdSe or the ZnCdSe) material. It can combine with the DBR structure GnN group optical element structure of this high quality using the wafer bonding technology.
The wafer, bond, fusion, bump, annealing, grinding, znSSe .
  • 出願人(英語)
  • THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA
  • Universitaet Bremen
  • Japan Science and Technology Agency
  • 発明者(英語)
  • MURAI, Akihiko
  • MCCARTHY, Lee
  • MISHRA, Umesh K.
  • DENBAARS, Steven P.
  • KRUSE, Carsten
  • FIGGE, Stephan
  • HOMMEL, Detlef
国際特許分類(IPC)
参考情報 (研究プロジェクト等) ERATO NAKAMURA Inhomogeneous Crystal AREA
ライセンスをご希望の方、特許の内容に興味を持たれた方は、問合せボタンを押してください。

PAGE TOP

close
close
close
close
close
close