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Combinatorial molecular layer epitaxy device 実績あり

外国特許コード F110005061
整理番号 A051-11US
掲載日 2011年8月18日
出願国 アメリカ合衆国
出願番号 55401100
公報番号 06344084
出願日 平成12年5月9日(2000.5.9)
公報発行日 平成14年2月5日(2002.2.5)
国際出願番号 PCT/JP99/04946
国際公開番号 WO00/15884
国際出願日 平成11年9月10日(1999.9.10)
国際公開日 平成12年3月23日(2000.3.23)
優先権データ
  • 特願平10-258967 (1998.9.11) JP
  • 特願平10-258968 (1998.9.11) JP
  • 特願平10-258969 (1998.9.11) JP
  • 特願平10-258970 (1998.9.11) JP
発明の名称 (英語) Combinatorial molecular layer epitaxy device 実績あり
発明の概要(英語) A combinatorial molecular layer epitaxy apparatus is provided which includes a common chamber (22) having pressure therein controllable; one or more conveyable substrate heating units (36) having a substrate holder (48) for holding one or more substrates in the common chamber; and one or more process conducting chambers (24, 26, 28) having pressure therein controllable and provided to correspond to the substrate heating units. The process conducting chambers includes a growth chamber (24) which has a multiple raw material supply means for supplying raw materials onto a substrate (5) held by a substrate heating unit, a gas supply means for feeding a gas onto a surface of the substrate, and an instantaneous observation means for instantaneously observing epitaxial growth of monomolecular layers for each of the layers on the substrate surface, thereby rendering the formation of vacuum chambers constituting from substrate heating unit and process conducting chambers, which are controllable in temperatures and pressures.
  • 発明者/出願人(英語)
  • Koinuma, Hideomi; Yokohama [JP]
  • Kawasaki, Masashi; Yokohama [JP]
  • Japan Science and Technology Corporation, Kawaguchi [JP]
国際特許分類(IPC)
米国特許分類/主・副
  • 117/201
  • 117/202
  • 117/108
  • 117/900
  • 118/715
  • 118/719
  • 118/729
  • 118/730
参考情報 (研究プロジェクト等) CREST Single Molecule and Atom Level Reactions AREA
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