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LOW-DIMENSIONAL PLASMON LIGHT EMITTING DEVICE

外国特許コード F040000524
整理番号 F040000524
掲載日 2005年2月22日
出願国 世界知的所有権機関(WIPO)
国際出願番号 2002JP002242
国際公開番号 WO 2002/073707
国際出願日 平成14年3月11日(2002.3.11)
国際公開日 平成14年9月19日(2002.9.19)
優先権データ
  • 特願2001-069387 (2001.3.12) JP
発明の名称 (英語) LOW-DIMENSIONAL PLASMON LIGHT EMITTING DEVICE
発明の概要(英語) A low-dimensional plasmon light emitting device for converting an injection current energy into a light energy widely ranging from far IR to UV regions, wherein a low-dimensional conduction structure is built into the inside of or on the surface of a semiconductor or a dielectric, and a periodic fine structure, having a real space frequency D1=2pi/q1 with a wave number q1 giving a specific light emitting energy (h/2pi1)omega1 on the wave number-energy curve of the low-dimensional plasmon, is formed in the extreme vicinity of or inside the low-dimensional conduction structure. The low-dimensional conduction structure includes a quantum well structure formed inside a semiconductor or a dielectric, a space charge layer formed on the surface of a semiconductor or a dielectric or on a hetero interface, and a high-carrier-density surface electron band or an interface electron band formed on the surface of a semiconductor or a dielectric or on a hetero interface. The periodic fine structure includes a periodic structure formed of a metal thin wire or by etching, a thin film periodic structure grown on an atomic-level step surface, and a periodic structure-built-in organic molecule or polymer epitaxial or polymer thin film.
  • 出願人(英語)
  • ※2012年7月以前掲載分については米国以外のすべての指定国
  • Japan Science And Technology Corporation
  • 発明者(英語)
  • Nagao, Tadaaki
国際特許分類(IPC)
指定国 US AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LU MC NL PT SE TR
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