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Light-emitting diode and laser diode having n-type ZnO layer and p-type semiconductor laser

外国特許コード F110005310
整理番号 E06002US
掲載日 2011年8月31日
出願国 アメリカ合衆国
出願番号 16976702
公報番号 20030132449
公報番号 06806503
出願日 平成14年11月5日(2002.11.5)
公報発行日 平成15年7月17日(2003.7.17)
公報発行日 平成16年10月19日(2004.10.19)
国際出願番号 PCT/JP01/00465
国際公開番号 WO01/56088
国際出願日 平成13年1月24日(2001.1.24)
国際公開日 平成13年8月2日(2001.8.2)
優先権データ
  • 特願2000-024843 (2000.1.28) JP
発明の名称 (英語) Light-emitting diode and laser diode having n-type ZnO layer and p-type semiconductor laser
発明の概要(英語) An ultraviolet-light-emitting semiconductor diode comprising an n-type ZnO layer with luminous characteristics formed on a transparent substrate, and a p-type semiconductor layer selected from the group consisting of SrCu2O2, CuAlO2 and CuGaO2, which is formed on the n-type ZnO layer to provide a p-n junction therebetween. The transparent substrate is preferably a single crystal substrate having atomically flat yttria-stabilized zirconia (YSZ) (III) surface. The n-type ZnO layer is formed on the transparent substrate having a temperature of 200 to 1200 deg. C., and the p-type semiconductor layer selected from the group of SrCu2O2, CuAlO2 and CuGaO2 is formed on the n-type ZnO layer. The n-type ZnO layer may be formed without heating the substrate, and then the surface of the ZnO layer may be irradiated with ultraviolet light to promote crystallization therein.
  • 発明者/出願人(英語)
  • Hosono, Hideo; Yamato [JP]
  • Ota, Hiromichi; Kawasaki [JP]
  • Orita, Masahiro; Funabashi [JP]
  • Kawamura, Kenichi; Sagamihara [JP]
  • Sarukura, Nobuhiko; Okazaki [JP]
  • Hirano, Msahiro; Tokyo [JP]
  • Japan Science and Technology Agency, Kawagchi [JP]
国際特許分類(IPC)
米国特許分類/主・副
  • 257/79
  • 257/103
  • 438/69
  • 438/795
  • 438/799
参考情報 (研究プロジェクト等) ERATO HOSONO Transparent ElectroActive Materials AREA
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