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Ultraviolet-transparent conductive film and process for producing the same

外国特許コード F110005312
整理番号 E06004US
掲載日 2011年8月31日
出願国 アメリカ合衆国
出願番号 31135203
公報番号 20030107098
公報番号 06897560
出願日 平成15年1月7日(2003.1.7)
公報発行日 平成15年6月12日(2003.6.12)
公報発行日 平成17年5月24日(2005.5.24)
国際出願番号 PCTJP01/05928
国際公開番号 WO0205296
国際出願日 平成13年7月9日(2001.7.9)
国際公開日 平成14年1月17日(2002.1.17)
優先権データ
  • 特願2000-209139 (2000.7.10) JP
  • 特願2001-182643 (2001.6.15) JP
発明の名称 (英語) Ultraviolet-transparent conductive film and process for producing the same
発明の概要(英語) The present invention provides an ultraviolet-transparent conductive film comprising a Ga2O3 crystal. The film has a transparency in the wavelength range of 240 to 800 nm, or 240 to 400 nm, and an electric conductivity induced by an oxygen deficiency or dopant in the Ga2O3 crystal. The dopant includes at least one element selected from the group consisting of the Sn, Ge, Si, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo and W. The ultraviolet-transparent conductive film is formed through either one of a pulsed-laser deposition method, sputtering method, CVD method and MBE method, under the conditions with a substrate temperature of 600 to 1500 deg. C. and an oxygen partial pressure of 0 to 1 Pa.
  • 発明者/出願人(英語)
  • Ota, Hiromichi; Kawasaki [JP]
  • Orita, Masahiro; Funabashi [JP]
  • Hosono, Hideo; Yamato [JP]
  • Hirano, Masahiro; Tokyo [JP]
  • Japan Science & Technology Corporation, Kawaguchi [JP]
国際特許分類(IPC)
米国特許分類/主・副
  • 257/749
  • 257/518.1
  • 438/609
参考情報 (研究プロジェクト等) ERATO HOSONO Transparent ElectroActive Materials AREA
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