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METHOD FOR FLATTENING SURFACE OF OXIDE CRYSTAL TO ULTRA HIGH DEGREE

外国特許コード F040000533
整理番号 F040000533
掲載日 2005年2月22日
出願国 世界知的所有権機関(WIPO)
国際出願番号 2002JP002488
国際公開番号 WO 2002/077331
国際出願日 平成14年3月15日(2002.3.15)
国際公開日 平成14年10月3日(2002.10.3)
優先権データ
  • 特願2001-075458 (2001.3.16) JP
発明の名称 (英語) METHOD FOR FLATTENING SURFACE OF OXIDE CRYSTAL TO ULTRA HIGH DEGREE
発明の概要(英語) A method for flattening the surface of an oxide crystal insoluble in an acid or an alkali to an ultra high degree, which comprises reducing the surface of an oxide crystal insoluble in an acid or an alkali with a reducing agent, dissolving the reduced surface of the oxide crystal with an aqueous solution of an acid or an alkali, and subjecting the oxide crystal having the dissolved surface to a heat treatment in the atmosphere, to thereby flatten the surface of the oxide crystal to an ultra high degree at an atomic level of roughness; a method for preparing a single crystal thin film of a ReCa4O(BO3)3 based oxide using the above method; a single crystal thin film of a ReCa4O(BO3)3 based oxide exhibiting SHG property; a method for flattening the surface to be used for the entrance or emission of a light of such an oxide optical crystal to an ultra high degree using the above method; and a method for evaluating the defect of such an oxide optical crystal using the above method.
  • 出願人(英語)
  • ※2012年7月以前掲載分については米国以外のすべての指定国
  • Japan Science And Technology Corporation
  • 発明者(英語)
  • Koinuma, Hideomi
  • Matsumoto, Yuji
  • Sasaki, Takatomo
  • Mori, Yusuke
  • Yoshimura, Masashi
国際特許分類(IPC)
指定国 CN JP KR US AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LU MC NL PT SE TR
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