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Ferromagnetic double quantum well tunnel magneto-resistance device

外国特許コード F110005337
整理番号 K00713US
掲載日 2011年8月31日
出願国 アメリカ合衆国
出願番号 76280401
公報番号 06456523
出願日 平成13年2月13日(2001.2.13)
公報発行日 平成14年9月24日(2002.9.24)
国際出願番号 PCT/JP00/01476
国際公開番号 WO01/04970
国際出願日 平成12年3月10日(2000.3.10)
国際公開日 平成13年1月18日(2001.1.18)
優先権データ
  • 特願平11-196724 (1999.7.9) JP
  • 特願2000-022691 (2000.1.31) JP
発明の名称 (英語) Ferromagnetic double quantum well tunnel magneto-resistance device
発明の概要(英語) A ferromagnetic double quantum well tunneling magnetoresistance device is disclosed that utilizes a two-dimensional electron (positive hole) system to obtain an infinitely great magnetoresistance ratio. Also disclosed are a sensitive magnetic sensor and a nonvolatile storage device derived from that device. In structural terms of the device, a first and a second quantum well layer of ferromagnetic material (4, 8) in each of which the quantum confinement for carriers is established in a two-dimensional electron (positive hole) state are each sandwiched between a pair of barrier layers of nonmagnetic material (2, 6, 10) through which the carriers can tunnel. The first and second quantum well layers (4, 8) have a difference in coercive force so that when an external magnetic field is applied thereto only one of them may be reversed in the direction of magnetization. As a result, if magnetizations of the two quantum wells are parallel to each other, tunneling is allowed to occur, and if they are antiparallel to each other, tunneling is inhibited. A infinitely great tunneling magnetoresistance ratio is thereby obtained.
  • 発明者/出願人(英語)
  • Tanaka, Masaaki; Saitama-ken [JP]
  • Hayashi, Toshiaki; Tokyo [JP]
  • Japan Science and Technology Corporation, Kawaguchi [JP]
国際特許分類(IPC)
米国特許分類/主・副
  • 365/158
  • 365/171
  • 365/173
参考情報 (研究プロジェクト等) PRESTO Fields and Reactions AREA
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