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Low-dimensional plasmon light emitting device

外国特許コード F110005351
整理番号 K01401US
掲載日 2011年8月31日
出願国 アメリカ合衆国
出願番号 47136203
公報番号 20040079938
公報番号 06946674
出願日 平成15年9月11日(2003.9.11)
公報発行日 平成16年4月29日(2004.4.29)
公報発行日 平成17年9月20日(2005.9.20)
国際出願番号 PCT/JP02/02242
国際公開番号 WO02/07370
国際出願日 平成14年3月11日(2002.3.11)
国際公開日 平成14年9月19日(2002.9.19)
優先権データ
  • 特願2001-069387 (2001.3.12) JP
発明の名称 (英語) Low-dimensional plasmon light emitting device
発明の概要(英語) A low-dimensional plasmon-light emitter for converting an inputted electric energy luminescence with an arbitrary energy over a broad range. The emitter has a low-dimensional conductive structure incorporated inside or in a surface layer of a semiconductor or dielectric. A periodic nanostructure is incorporated in the vicinity of or inside the low-dimensional conductive structure. The low-dimensional conductive structure may be a quantum well formed inside a semiconductor or dielectric, a space-charge layer formed on a surface or heterojunction of a semiconductor or dielectric, or a surface or interface electronic band with high carrier density formed on a surface or heterojunction of a semiconductor or dielectric. The periodic nanostructure is selected from a periodic structure formed by vapor-deposition or etching of fine metallic wires, a periodic structure of a film formed on surfaces with atomic steps, or a periodic structure self-organized during epitaxial growth or polymerization of an organic molecule or polymer.
  • 発明者/出願人(英語)
  • Nagao, Tadaaki; Tagajo [JP]
  • Japan Science and Technology Corporation, [JP]
国際特許分類(IPC)
米国特許分類/主・副
  • 257/13
  • 257/94
  • 257/98
  • 372/45
参考情報 (研究プロジェクト等) PRESTO Structural Ordering and Physical Properties AREA
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