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Tunneling magnetoresistive element, semiconductor junction element, magnetic memory and semiconductor light emitting element

外国特許コード F110005373
整理番号 K02001US2
掲載日 2011年9月5日
出願国 アメリカ合衆国
出願番号 97958407
公報番号 20080085567
公報番号 07468282
出願日 平成19年11月6日(2007.11.6)
公報発行日 平成20年4月10日(2008.4.10)
公報発行日 平成20年12月23日(2008.12.23)
国際出願番号 PCT/JP03/03604
国際出願日 平成15年3月25日(2003.3.25)
優先権データ
  • 特願2002-086928 (2002.3.26) JP
発明の名称 (英語) Tunneling magnetoresistive element, semiconductor junction element, magnetic memory and semiconductor light emitting element
発明の概要(英語) A pin junction element includes a ferromagnetic p-type semiconductor layer and a n-type semiconductor layer which are connected via an insulating layer, and which shows a tunneling magnetic resistance according to the magnetization of the ferromagnetic p-type semiconductor layer and the magnetization of the ferromagnetic n-type semiconductor layer. In this pin junction element, an empty layer is formed with an applied bias, thereby generating tunnel current via an empty layer. As a result, it is possible to generate tunnel current even when adopting a thicker insulating layer than that of the conventional tunnel magnetic resistance element.
  • 発明者/出願人(英語)
  • Tanaka, Hidekazu; Suita [JP]
  • Kawai, Tomoji; Minoo [JP]
  • Japan Science and Technology Agency, Saitama [JP]
国際特許分類(IPC)
米国特許分類/主・副
  • 438/3
  • 257/425
  • 257/427
  • 257/295
  • 257/E21.665
  • 257/421
参考情報 (研究プロジェクト等) PRESTO Nanostructure and Material Property AREA
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