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Spin transistor based on the spin-filter effect, and non-volatile memory using spin transistors

外国特許コード F110005376
整理番号 K02003US2
掲載日 2011年9月5日
出願国 アメリカ合衆国
出願番号 97922107
公報番号 20080061336
公報番号 07671433
出願日 平成19年10月31日(2007.10.31)
公報発行日 平成20年3月13日(2008.3.13)
公報発行日 平成22年3月2日(2010.3.2)
国際出願番号 PCT/JP03/09438
国際出願日 平成15年7月25日(2003.7.25)
優先権データ
  • 特願2002-217336 (2002.7.25) JP
  • 特願2003-086145 (2003.3.26) JP
発明の名称 (英語) Spin transistor based on the spin-filter effect, and non-volatile memory using spin transistors
発明の概要(英語) A spin transistor comprises a spin injector for injecting, from a first nonmagnetic electrode carriers with a spin parallel to a spin band forming the band edge of a first ferromagnetic barrier layer, to a second nonmagnetic electrode layer, as hot carriers. It also comprises a spin analyzer whereby, due to spin-splitting at the band edge of a second ferromagnetic barrier layer, the spin-polarized hot carriers are transported to a third nonmagnetic electrode when the direction of the spin of the carriers injected into the second nonmagnetic electrode is parallel to that of the spin of the spin band at the band edge of the second ferromagnetic barrier layer, whereas the hot carriers are not transported to the third nonmagnetic electrode in the case of antiparallel spin. A memory element is also provided that comprises such a spin transistor.
  • 発明者/出願人(英語)
  • Sugahara, Satoshi; Kanagawa [JP]
  • Tanaka, Masaaki; Saitama [JP]
  • Japan Science and Technology Agency, Saitama [JP]
国際特許分類(IPC)
米国特許分類/主・副
  • 257/421
  • 257/414
  • 257/427
  • 257/E29.323
  • 438/3
  • 365/171
参考情報 (研究プロジェクト等) PRESTO Nanostructure and Material Property AREA
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