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Field-effect transistor with spin-dependent transmission characteristics and non-volatile memory using the same

外国特許コード F110005379
整理番号 K02006US
掲載日 2011年9月5日
出願国 アメリカ合衆国
出願番号 54784404
公報番号 20060138502
公報番号 07528428
出願日 平成17年9月2日(2005.9.2)
公報発行日 平成18年6月29日(2006.6.29)
公報発行日 平成21年5月5日(2009.5.5)
国際出願番号 PCT/JP2004/000567
国際公開番号 WO2004/079827
国際出願日 平成16年1月23日(2004.1.23)
国際公開日 平成16年9月16日(2004.9.16)
優先権データ
  • 特願2003-062453 (2003.3.7) JP
  • 特願2003-164398 (2003.6.9) JP
発明の名称 (英語) Field-effect transistor with spin-dependent transmission characteristics and non-volatile memory using the same
発明の概要(英語) When a gate voltage VGS is applied, the Schottky barrier width due to the metallic spin band in the ferromagnetic source is decreased, and up-spin electrons from the metallic spin band are tunnel-injected into the channel region. However, down-spin electrons from the nonmagnetic contact (3b) are not injected because of the energy barrier due to semiconductive spin band of the ferromagnetic source (3a). That is, only up-spin electrons are injected into the channel layer from the ferromagnetic source (3a). If the ferromagnetic source (3a) and the ferromagnetic drain (5a) are parallel magnetized, up-spin electrons are conducted through the metallic spin band of the ferromagnetic drain to become the drain current. Contrarily, if the ferromagnetic source (3a) and the (ferromagnetic drain (5a) are antiparallel magnetized, up-spin electrons cannot be conducted through the ferromagnetic drain (5a) because of the energy barrier Ec due to the semiconductive spin band in the ferromagnetic drain (5a). Thus, a high-performance high-degree of integration nonvolatile memory composed of MISFETs operating on the above operating principle can be fabricated.
  • 発明者/出願人(英語)
  • Sugahara, Satoshi; Kanagawa [JP]
  • Tanaka, Masaaki; Saitama [JP]
  • Japan Science and Technology Agency, Saitama [JP]
国際特許分類(IPC)
米国特許分類/主・副
  • 257/295
  • 257/E29.272
参考情報 (研究プロジェクト等) PRESTO Nanostructure and Material Property AREA
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