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Field-effect transistor with spin-dependent transmission characteristics and non-volatile memory using the same

外国特許コード F110005380
整理番号 K02006US2
掲載日 2011年9月5日
出願国 アメリカ合衆国
出願番号 38245509
公報番号 20090236646
公報番号 08097909
出願日 平成21年3月17日(2009.3.17)
公報発行日 平成21年9月24日(2009.9.24)
公報発行日 平成24年1月17日(2012.1.17)
国際出願番号 PCT/JP2004/000567
国際出願日 平成16年1月23日(2004.1.23)
優先権データ
  • 特願2003-062453 (2003.3.7) JP
  • 特願2003-164398 (2003.6.9) JP
発明の名称 (英語) Field-effect transistor with spin-dependent transmission characteristics and non-volatile memory using the same
発明の概要(英語) When a gate voltage is applied, the Schottky barrier width due to the metallic spin band in the ferromagnetic source decreasing, up-spin electrons from the metallic spin band are tunnel-injected into the channel region. However, down-spin electrons from the nonmagnetic contact are not injected because of the energy barrier due to semiconductive spin band of the ferromagnetic source. Only up-spin electrons are injected into the channel layer from the ferromagnetic source. If the ferromagnetic source and the ferromagnetic drain are parallel magnetized, up-spin electrons are conducted through the metallic spin band of the ferromagnetic drain to become the drain current. Contrarily, if the ferromagnetic source and the ferromagnetic drain are antiparallel magnetized, up-spin electrons cannon be conducted through the ferromagnetic drain. A nonvolatile memory composed of MISFETs operating on the above principle is fabricated.
  • 発明者/出願人(英語)
  • Sugahara, Satoshi; Yokohama [JP]
  • Tanaka, Masaaki; Saitama [JP]
  • Japan Science and Technology Agency, Kawaguchi-shi [JP]
国際特許分類(IPC)
米国特許分類/主・副
  • 257/295
  • 257/E27.104
参考情報 (研究プロジェクト等) PRESTO Nanostructure and Material Property AREA
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