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Tunnel transistor having spin-dependent transfer characteristics and non-volatile memory using the same

外国特許コード F110005382
整理番号 K02009US2
掲載日 2011年9月5日
出願国 アメリカ合衆国
出願番号 97934607
公報番号 20080308853
公報番号 07714400
出願日 平成19年11月1日(2007.11.1)
公報発行日 平成20年12月18日(2008.12.18)
公報発行日 平成22年5月11日(2010.5.11)
発明の名称 (英語) Tunnel transistor having spin-dependent transfer characteristics and non-volatile memory using the same
発明の概要(英語) A MISFET the channel region of which is a ferromagnetic semi-conductor has a feature that the drain current can be controlled by the gate voltage and a feature that the transfer conductance can be controlled by the relative directions of magnetization in the ferromagnetic channel region and the ferromagnetic source (or the ferromagnetic drain, or both the ferromagnetic source and ferromagnetic drain). As a result, binary information can be stored in the form of the relative magnetization directions, and the relative magnetization directions are electrically detected. If the magnetism is controlled by the electric field effect of the channel region of a ferromagnetic semiconductor, the current needed to rewrite the information can be greatly reduced. Thus, the MISFET can constitute a high-performance non-volatile memory cell suited to high-density integration.
  • 発明者/出願人(英語)
  • Sugahara, Satoshi; Yokohama [JP]
  • Tanaka, Masaaki; Saitama [JP]
  • Japan Science and Technology Agency, Kawaguchi-shi [JP]
国際特許分類(IPC)
米国特許分類/主・副
  • 257/421
  • 257/427
  • 257/E29.323
  • 438/3
  • 360/326
  • 365/157
参考情報 (研究プロジェクト等) PRESTO Nanostructure and Material Property AREA
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