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Field effect transistor and method for manufacturing same 新技術説明会

外国特許コード F110005385
整理番号 K02011WO
掲載日 2011年9月5日
出願国 アメリカ合衆国
出願番号 56562404
公報番号 20060194379
公報番号 07622763
出願日 平成18年1月24日(2006.1.24)
公報発行日 平成18年8月31日(2006.8.31)
公報発行日 平成21年11月24日(2009.11.24)
国際出願番号 PCT/JP2004/010696
国際公開番号 WO2005/010974
国際出願日 平成16年7月28日(2004.7.28)
国際公開日 平成17年2月3日(2005.2.3)
優先権データ
  • 特願2003-281104 (2003.7.28) JP
発明の名称 (英語) Field effect transistor and method for manufacturing same 新技術説明会
発明の概要(英語) A field effect transistor comprises a SiC substrate 1, a source 3a and a drain 3b formed on the surface of the SiC substrate 1, an insulating structure comprising an AlN layer 5 formed in contact with the SiC surface and having a thickness of one molecule-layer or greater, and a SiO2 layer formed thereon, and a gate electrode 15 formed on the insulation structure. Leakage current can be controlled while the state of interface with SiC is maintained in a good condition.
  • 発明者/出願人(英語)
  • Suda, Jun; Shiga [JP]
  • Matsunami, Hiroyuki; Kyoto [JP]
  • Japan Science and Technology Agency, Saitama [JP]
国際特許分類(IPC)
米国特許分類/主・副
  • 257/315
  • 257/E29.129
参考情報 (研究プロジェクト等) PRESTO Nanostructure and Material Property AREA
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