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Magnetic tunnel junction device and memory device including the same

外国特許コード F110005388
整理番号 K02012WO
掲載日 2011年9月5日
出願国 アメリカ合衆国
出願番号 59194705
公報番号 20070195592
公報番号 07884403
出願日 平成18年9月8日(2006.9.8)
公報発行日 平成19年8月23日(2007.8.23)
公報発行日 平成23年2月8日(2011.2.8)
国際出願番号 PCT/JP2005/004720
国際公開番号 WO2005/088745
国際出願日 平成17年3月10日(2005.3.10)
国際公開日 平成17年9月22日(2005.9.22)
優先権データ
  • 特願2004-071186 (2004.3.12) JP
  • 特願2004-313350 (2004.10.28) JP
発明の名称 (英語) Magnetic tunnel junction device and memory device including the same
発明の概要(英語) The output voltage of an MRAM is increased by means of an Fe(001)/MgO(001)/Fe(001) MTJ device, which is formed by microfabrication of a sample prepared by the following steps. A single-crystalline MgO (001) substrate 11 is prepared. An epitaxial Fe(001) lower electrode (a first electrode) 17 with the thickness of 50 nm is grown on a MgO(001) seed layer 15 at room temperature, followed by annealing under ultrahigh vacuum (2 * 10-8 Pa) and at 350 deg. C. A MgO(001) barrier layer 21 with the thickness of 2 nm is epitaxially formed on the Fe(001) lower electrode (the first electrode) at room temperature, using a MgO electron-beam evaporation. A Fe(001) upper electrode (a second electrode) with the thickness of 10 nm is then formed on the MgO(001) barrier layer 21 at room temperature. This is successively followed by the deposition of a Co layer 21 with the thickness of 10 nm on the Fe(001) upper electrode (the second electrode) 23. The Co layer 21 is provided so as to increase the coercive force of the upper electrode 23 in order to realize an antiparallel magnetization alignment.
  • 発明者/出願人(英語)
  • Yuasa, Shinji; Ibaraki [JP]
  • Japan Science and Technology Agency, Saitama [JP]
  • National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tokyo [JP]
国際特許分類(IPC)
米国特許分類/主・副
  • 257/295
  • 257/427
  • 257/E29.323
  • 257/E27.104
  • 257/E29.164
  • 257/E21.208
  • 365/171
参考情報 (研究プロジェクト等) PRESTO Nanostructure and Material Property AREA
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