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Nonvolatile phase change magnetic material, manufacturing method thereof, and nonvolatile phase change magnetic memory using the same

外国特許コード F110005516
整理番号 N031-04WO
掲載日 2011年9月7日
出願国 アメリカ合衆国
出願番号 66131805
公報番号 20080026257
公報番号 08105704
出願日 平成19年2月27日(2007.2.27)
公報発行日 平成20年1月31日(2008.1.31)
公報発行日 平成24年1月31日(2012.1.31)
国際出願番号 PCT/JP2005/015808
国際公開番号 WO2006/025413
国際出願日 平成17年8月30日(2005.8.30)
国際公開日 平成18年3月9日(2006.3.9)
優先権データ
  • 特願2004-251051 (2004.8.30) JP
発明の名称 (英語) Nonvolatile phase change magnetic material, manufacturing method thereof, and nonvolatile phase change magnetic memory using the same
発明の概要(英語) A memory is provided that is improved in cost, life, energy consumption and recording density over existing optical disks and hard disks and operates under novel principles, as well as its manufacturing method. A nonvolatile phase change magnetic memory comprises a substrate and a film loaded on the substrate, which film is of a crystalline transition metal chalcogenide compound that in composition is deficient in transition metal from its stoichiometric ratio composition and expressed by formula: AyX where A is a transition metal, X is a chalcogen element and 0<y<1, and in which film a minute portion subjected to a temperature history is made to form a ferromagnetic phase (1) or an antiferromagnetic phase (7) in which holes (4) for transition metal (2) are orderly or disorderly arranged and is stored with information as a magnetization based on the ferromagnetic phase (1) or antiferromagnetic phase (7).
  • 発明者/出願人(英語)
  • Takagi, Hidenori; Bunkyo-ku [JP]
  • Takayama, Tomohiro; Wako [JP]
  • Japan Science and Technology Agency, Saitama [JP]
国際特許分類(IPC)
米国特許分類/主・副
  • 428/812
  • 428/836.1
参考情報 (研究プロジェクト等) CREST Creation and Application of Nano Structural Materials for Advanced Data Processing and Communication AREA
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