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Substrate with organic thin film, and transistor using same 新技術説明会

外国特許コード F110005537
整理番号 N071-06WO
掲載日 2011年9月7日
出願国 アメリカ合衆国
出願番号 59415205
公報番号 20070190330
公報番号 07692184
出願日 平成18年9月25日(2006.9.25)
公報発行日 平成19年8月16日(2007.8.16)
公報発行日 平成22年4月6日(2010.4.6)
国際出願番号 PCT/JP2005/006199
国際公開番号 WO2005/091377
国際出願日 平成17年3月24日(2005.3.24)
国際公開日 平成17年9月29日(2005.9.29)
優先権データ
  • 特願2004-088077 (2004.3.24) JP
発明の名称 (英語) Substrate with organic thin film, and transistor using same 新技術説明会
発明の概要(英語) A substrate having organic thin film capable of growing two dimensionally such organic thin film as C60 and a transistor using the same are constituted with a substrate (1) having organic thin film by sequentially depositing a buffer layer (3) and organic thin film (4) on the substrate (2), and with the buffer layer orienting the organic thin film (4). A layer easily oriented with the substrate (2) and the buffer layer (3) may be inserted between the substrate (2) and the buffer layer (3). A sapphire substrate as the substrate (2), pentacene or pentacene fluoride as the buffer layer (3), and C60 or rubrene as the organic thin film (4) may be used, thereby C60 or rubrene two dimensional thin film of high quality can be obtained. By using such a substrate (1) having organic thin film, a field effect transistor of high quality can be realized.
  • 発明者/出願人(英語)
  • Koinuma, Hideomi; Tokyo [JP]
  • Itaka, Kenji; Kanagawa [JP]
  • Yamashiro, Mitsugu; Kanagawa [JP]
  • Japan Science and Technology Agency, Kawaguchi-shi [JP]
国際特許分類(IPC)
米国特許分類/主・副
  • 257/40
  • 257/E51.001
  • 257/E51.049
参考情報 (研究プロジェクト等) CREST Development of Advanced Nanostructured Materials for Energy Conversion and Storage AREA
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