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SiC semiconductor device

外国特許コード F110005591
整理番号 RP11P18US
掲載日 2011年9月8日
出願国 アメリカ合衆国
出願番号 98727101
公報番号 20020047125
公報番号 06759684
出願日 平成13年11月14日(2001.11.14)
公報発行日 平成14年4月25日(2002.4.25)
公報発行日 平成16年7月6日(2004.7.6)
優先権データ
  • 特願2000-346455 (2000.11.14) JP
発明の名称 (英語) SiC semiconductor device
発明の概要(英語) An MIS transistor that uses a silicon carbide substrate has a buried channel structure. The surface orientation of the silicon carbide substrate is optimized so that the device does not assume a normally on state, has good hot-carrier endurance and punch-through endurance, and high channel mobility. In particular, a P-type silicon carbide semiconductor substrate is used to form a buried channel region. To achieve high mobility, the depth at which the buried channel region is formed is optimized, and the ratio between buried channel region junction depth (Lbc) source and drain region junction depth (Xj) is made to be within 0.2 to 1.0. The device can be formed on any surface of a hexagonal or rhombohedral or a (110) surface of a cubic system silicon carbide crystal, and provides a particularly good effect when formed on the (11-20) surface.
  • 発明者/出願人(英語)
  • Fukuda, Kenji; Tsukuba [JP]
  • Arai, Kazuo; Tsukuba [JP]
  • Senzaki, Junji; Tsukuba [JP]
  • Harada, Shinsuke; Tsukuba [JP]
  • Kosugi, Ryoji; Tsukuba [JP]
  • Adachi, Kazuhiro; Newcastle upon Tyne [GB]
  • National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tokyo [JP]
  • Japan Science and Technology Corporation, Kawaguchi [JP]
国際特許分類(IPC)
米国特許分類/主・副
  • 257/77
  • 257/628
  • 257/341
  • 257/335
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