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Semiconductor device manufacturing method

外国特許コード F110005592
整理番号 RP11P23US
掲載日 2011年9月8日
出願国 アメリカ合衆国
出願番号 46631103
公報番号 20040087093
公報番号 06812102
出願日 平成15年12月30日(2003.12.30)
公報発行日 平成16年5月6日(2004.5.6)
公報発行日 平成16年11月2日(2004.11.2)
国際出願番号 PCT/JP02/00512
国際公開番号 WO02/05998
国際出願日 平成14年1月24日(2002.1.24)
国際公開日 平成14年8月1日(2002.8.1)
優先権データ
  • 特願2001-017680 (2001.1.25) JP
発明の名称 (英語) Semiconductor device manufacturing method
発明の概要(英語) In a semiconductor device using a silicon carbide substrate (1), the object of the present invention is to provide a method of manufacturing a semiconductor device that is a buried channel region type transistor having hot-carrier resistance, high punch-through resistance and high channel mobility. This is achieved by using a method of manufacturing a buried channel type transistor using a P-type silicon carbide substrate that includes a step of forming a buried channel region, a source region and a drain region, a step of forming a gate insulation layer after the step of forming the buried channel region, source region and drain region, and a step of exposing the gate insulation layer to an atmosphere containing water vapor at a temperature of 500 deg. C. or more after the step of forming the gate insulation layer. The gate insulation layer is formed by a thermal oxidation method using dry oxygen.
  • 発明者/出願人(英語)
  • Fukuda, Kenji; Ibaraki [JP]
  • Arai, Kazuo; Ibaraki [JP]
  • Senzaki, Junji; Ibaraki [JP]
  • Harada, Shinsuke; Ibaraki [JP]
  • Kosugi, Ryoji; Ibaraki [JP]
  • Adachi, Kazuhiro; Ibaraki [JP]
  • Suzuki, Seiji; Moriguchi [JP]
  • National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tokyo [JP]
  • Japan Science and Technology Corporation, Kawaguchi [JP]
  • Sanyo Electric Company, Ltd., Moriguchi [JP]
国際特許分類(IPC)
米国特許分類/主・副
  • 438/298
  • 438/75
  • 438/217
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