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Boron doping by decaborane 実績あり

外国特許コード F110005648
整理番号 S96P19US
掲載日 2011年9月9日
出願国 アメリカ合衆国
出願番号 76285396
公報番号 06013332
出願日 平成8年12月6日(1996.12.6)
公報発行日 平成12年1月11日(2000.1.11)
発明の名称 (英語) Boron doping by decaborane 実績あり
発明の概要(英語) A method of manufacturing a semiconductor device comprising the steps of: ionizing decaborane; and implanting ionized decaborane into a silicon wafer. Solid decaborane can be vaporized in a reduced pressure atmosphere or by heating. A single decaborane molecule can provide 10 boron atoms while the acceleration energy per each boron atom can be reduced to about 1/10 of the acceleration energy for a decaborane molecule.
  • 発明者/出願人(英語)
  • Goto, Kenichi; Kawasaki [JP]
  • Kase, Masataka; Kawasaki [JP]
  • Matsuo, Jiro; Kyoto [JP]
  • Yamada, Isao; Kyoto [JP]
  • Takeuchi, Daisuke; Kyoto [JP]
  • Toyoda, Noriaki; Kyoto [JP]
  • Shimada, Norihiro; Kyoto [JP]
  • Fujitsu Limited, Kawasaki [JP]
  • Japan Science and Technology Corporation, Saitama [JP]
国際特許分類(IPC)
米国特許分類/主・副
  • 427/530
  • 427/527
  • 438/515
  • 438/918
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