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Method and apparatus for growing high quality single crystal 実績あり

外国特許コード F110005673
整理番号 Y0002US
掲載日 2011年9月9日
出願国 アメリカ合衆国
出願番号 97950502
公報番号 06843849
出願日 平成14年1月11日(2002.1.11)
公報発行日 平成17年1月18日(2005.1.18)
国際出願番号 PCT/JP00/03264
国際公開番号 WO00/71786
国際出願日 平成12年5月22日(2000.5.22)
国際公開日 平成12年11月30日(2000.11.30)
優先権データ
  • 特願平11-178815 (1999.5.22) JP
発明の名称 (英語) Method and apparatus for growing high quality single crystal 実績あり
発明の概要(英語) In a method for growing a single crystal by bringing a seed crystal (4) into contact with a melt (2) of raw materials melted under heating in a crucible (1) a blade member (5) or a baffle member in disposed in the raw material melt (2) in the crucible (1) and a single crystal is grown by pulling up it with rotating the crucible (1) to thereby grow various single crystals including CLBO from the highly viscous raw material melt (2) as high quality and high performance crystals.
  • 発明者/出願人(英語)
  • Sasaki, Takatomo; Osaka [JP]
  • Mori, Yusuke; Osaka [JP]
  • Yoshimura, Masashi; Hiroshima [JP]
  • Japan Science and Technology Corporation, Saitama [JP]
国際特許分類(IPC)
米国特許分類/主・副
  • 117/30
  • 117/11
  • 117/13
  • 117/18
  • 117/31
  • 117/200
  • 117/208
  • 117/213
  • 117/217
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