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Method and apparatus for temperature measurement, and thermal infrared image sensor

外国特許コード F110005680
整理番号 Y0034US
掲載日 2011年9月9日
出願国 アメリカ合衆国
出願番号 16908302
公報番号 20030038332
公報番号 06851849
出願日 平成14年9月6日(2002.9.6)
公報発行日 平成15年2月27日(2003.2.27)
公報発行日 平成17年2月8日(2005.2.8)
国際出願番号 PCT/JP01/00080
国際公開番号 WO01/51902
国際出願日 平成13年1月11日(2001.1.11)
国際公開日 平成13年7月19日(2001.7.19)
優先権データ
  • 特願2000-003124 (2000.1.12) JP
  • 特願2000-288612 (2000.9.22) JP
発明の名称 (英語) Method and apparatus for temperature measurement, and thermal infrared image sensor
発明の概要(英語) At least one forward-biased semiconductor diode having a potential barrier is used as a temperature sensor whose sensitivity can be finely adjusted. An operational amplifier circuit (A1) is used to apply a bias voltage of DC or rectangular waveform to a semiconductor diode (D) having a potential barrier used as a temperature sensor. In view of the fact that the temperature sensitivity of the semiconductor diode (D) depends on the height of its potential barrier, the forward bias voltage applied from a bias circuit (2) directly to the semiconductor diode (D) is finely adjusted to obtain desired temperature sensitivity. The output voltage of the sensor is associated with a current, having an exponential temperature dependence, which flows in the semiconductor diode (D) with the forward bias being fixed.
  • 発明者/出願人(英語)
  • Kimura, Mitsuteru; Miyagi [JP]
  • Japan Science and Technology Agency, Saitama [JP]
国際特許分類(IPC)
米国特許分類/主・副
  • 374/163
  • 327/513
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