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Process for producing monocrystal thin film and monocrystal thin film device

外国特許コード F110005761
整理番号 Y0432WO
掲載日 2011年9月14日
出願国 アメリカ合衆国
出願番号 58573104
公報番号 20080202582
公報番号 07887632
出願日 平成19年1月4日(2007.1.4)
公報発行日 平成20年8月28日(2008.8.28)
公報発行日 平成23年2月15日(2011.2.15)
国際出願番号 PCT/JP2004/019195
国際公開番号 WO2005/069356
国際出願日 平成16年12月22日(2004.12.22)
国際公開日 平成17年7月28日(2005.7.28)
優先権データ
  • 特願2004-007754 (2004.1.15) JP
発明の名称 (英語) Process for producing monocrystal thin film and monocrystal thin film device
発明の概要(英語) The present invention provides a method for manufacturing a monocrystalline film and a device formed by the above method, and according to the method mentioned above, lift-off of the monocrystalline silicon film is preferably performed and a high-purity monocrystalline silicon film can be obtained. A monocrystalline silicon substrate (template Si substrate) 201 is prepared, and on this monocrystalline silicon substrate 201, an epitaxial sacrificial layer 202 is formed. Subsequently, on this sacrificial layer 202, a monocrystalline silicon thin film 203 is rapidly epitaxially-grown using a RVD method, followed by etching of the sacrificial layer 202, whereby a monocrystalline silicon thin film 204 used as a photovoltaic layer of solar cells is formed.
  • 発明者/出願人(英語)
  • Noda, Suguru; Kohtoh-ku [JP]
  • Japan Science and Technology Agency, Kawaguchi, shi [JP]
国際特許分類(IPC)
米国特許分類/主・副
  • 117/4
  • 117/8
  • 117/9
  • 117/86
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