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Method for reactive ion etching and apparatus therefor 実績あり

外国特許コード F110005781
整理番号 Y9803US
掲載日 2011年9月14日
出願国 アメリカ合衆国
出願番号 15742198
公報番号 06391216
出願日 平成10年9月21日(1998.9.21)
公報発行日 平成14年5月21日(2002.5.21)
優先権データ
  • 特願2001-256635 (1997.9.22) JP
  • 特願2001-256636 (1997.9.22) JP
発明の名称 (英語) Method for reactive ion etching and apparatus therefor 実績あり
発明の概要(英語) The invention provides a method for reactive-ion etching a magnetic material with a plasma of a mixed gas of carbon monoxide and a nitrogen-containing compound, the method comprising a step, in which a multilayered film comprising a magnetic material thin film having thereon a resist film formed on a substrate is exposed to an electron beam and then developed, to form a pattern on the resist film, a step, in which a mask material is vacuum deposited, a step, in which the resist is dissolved, to form a mask, and a step, in which a part of the magnetic material thin film that is not covered with the mask is removed by reactive ion etching with a plasma of a mixed gas of carbon monoxide and a nitrogen-containing compound, to form a pattern on the magnetic material thin film, and thus obtaining the magnetic material thin film finely worked.
  • 発明者/出願人(英語)
  • Nakatani, Isao; Ibaraki [JP]
  • National Research Institute for Metals, Ibaraki [JP]
  • Japan Science and Technology Corporation, Saitama [JP]
国際特許分類(IPC)
米国特許分類/主・副
  • 216/41
  • 216/51
  • 216/67
  • 216/74
  • 216/66
  • 438/712
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