TOP > 外国特許検索 > Dry etching

Dry etching 実績あり

外国特許コード F110005786
整理番号 Y9908US
掲載日 2011年9月14日
出願国 アメリカ合衆国
出願番号 85725801
公報番号 06878635
出願日 平成13年9月14日(2001.9.14)
公報発行日 平成17年4月12日(2005.4.12)
国際出願番号 PCT/JP99/06761
国際公開番号 WO00/33370
国際出願日 平成11年12月2日(1999.12.2)
国際公開日 平成12年6月8日(2000.6.8)
優先権データ
  • 特願平10-343287 (1998.12.2) JP
発明の名称 (英語) Dry etching 実績あり
発明の概要(英語) A metallic thin film of copper, silver, gold, or one alloy selected from alloys containing as a main component at least one of these metals is etched by plasma of an etching gas containing at least nitrogen oxide while being reacted with the plasma, whereby making it possible to fine-process electrically conductive materials, heat-transfer materials and electric-contact materials made of copper, silver, gold or an alloy containing as a main component at least one of these metals.
  • 発明者/出願人(英語)
  • Nakatani, Isao; Ibaraki [JP]
  • National Institute for Materials Science, Ibaraki [JP]
  • Japan Science and Technology Corporation, Saitama [JP]
国際特許分類(IPC)
米国特許分類/主・副
  • 438/706
  • 438/710
  • 438/720
  • 216/58
ライセンスをご希望の方、特許の内容に興味を持たれた方は、問合せボタンを押してください。

PAGE TOP

close
close
close
close
close
close