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Non-polar and semi-polar light emitting devices 実績あり

外国特許コード F110005854
整理番号 E06737TW
掲載日 2011年11月2日
出願国 台湾
出願番号 96147297
公報番号 200834996
公報番号 I492411
出願日 平成19年12月11日(2007.12.11)
公報発行日 平成20年8月16日(2008.8.16)
公報発行日 平成27年7月11日(2015.7.11)
優先権データ
  • 60/869,540P (2006.12.11) US
発明の名称 (英語) Non-polar and semi-polar light emitting devices 実績あり
発明の概要(英語) An (Al, Ga, In)N light emitting device, such as a light emitting diode (LED), in which high light generation efficiency is realized by fabricating the device on non-polar or semi-polar III-Nitride crystal geometries.
Because non-polar and semi-polar emitting devices have significantly lower piezoelectric effects than c-plane emitting devices, higher efficiency emitting devices at higher current densities can be realized.
  • 出願人(英語)
  • UNIVERSITY OF CALIFORNIA
  • JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
  • 発明者(英語)
  • DENBAARS STEVEN P
  • SCHMIDT MATHEW C
  • KIM KWANG C
  • SPECK JAMES S
  • NAKAMURA SHUJI
国際特許分類(IPC)
参考情報 (研究プロジェクト等) ERATO NAKAMURA Inhomogeneous Crystal AREA
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