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Crystal growth of M-plane and semi-polar planes of (Al, In, Ga, B)N on various substrates 実績あり

外国特許コード F110005855
整理番号 E06738TW
掲載日 2011年11月2日
出願国 台湾
出願番号 96147324
公報番号 200845135
出願日 平成19年12月11日(2007.12.11)
公報発行日 平成20年11月16日(2008.11.16)
優先権データ
  • 20060869701P (2006.12.12) US
発明の名称 (英語) Crystal growth of M-plane and semi-polar planes of (Al, In, Ga, B)N on various substrates 実績あり
発明の概要(英語)

A method of reducing threading dislocation densities in non-polar such as a-{11-20} plane and m-{1-100} plane or semi-polar such as {10-1n} plane III-Nitrides by employing lateral epitaxial overgrowth from sidewalls of etched template material through a patterned mask. The method includes depositing a patterned mask on a template material such as a non-polar or semi polar GaN template, etching the template material down to various depths through openings in the mask, and growing non-polar or semi-polar III-Nitride by coalescing laterally from the tops of the sidewalls before the vertically growing material form the trench bottoms reaches the tops of the sidewalls. The coalesced features grow through the openings of the mask, and grow laterally over the dielectric mask until a fully coalesced continuous film is achieved.

  • 出願人(英語)
  • THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA,
  • JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
  • 発明者(英語)
  • KIM, KWANG-CHOONG,
  • SCHMIDT, MATHEW C,
  • WU, FENG,
  • HIRAI, ASAKO,
  • MCLAURIN, MELVIN B,
  • DENBAARS, STEVEN P,
  • NAKAMURA, SHUJI,
  • SPECK, JAMES S
国際特許分類(IPC)
参考情報 (研究プロジェクト等) ERATO NAKAMURA Inhomogeneous Crystal AREA
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