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Growth of planar, non-polar a-plane gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy 実績あり

外国特許コード F110005910
整理番号 E06701TW1
掲載日 2011年11月9日
出願国 台湾
出願番号 99131879
公報番号 201108411
公報番号 I433313
出願日 平成15年12月16日(2003.12.16)
公報発行日 平成23年3月1日(2011.3.1)
公報発行日 平成26年4月1日(2014.4.1)
優先権データ
  • 60/433,843P (2002.12.16) US
  • 60/433,844P (2002.12.16) US
発明の名称 (英語) Growth of planar, non-polar a-plane gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy 実績あり
発明の概要(英語) The present invention relates to growth of a highly planar, non-polar a-plane gallium nitride (GaN) film by hydride vapor phase epitaxy (HVPE).
The produced film is suitable for re-growing elements sequentially by various growth techniques.
A method of manufacturing a group III nitride film includes a process of growing a non-polar group III nitride film on a growth surface of a substrate, wherein the growth surface of the substrate is not a-plane or m-plane and the non-polar group III nitride film has a flat, mirror top surface.
  • 出願人(英語)
  • JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
  • 発明者(英語)
  • HASKELL BENJAMIN A
  • FINI PAUL T
  • MATSUDA SHIGEMASA
  • CRAVEN MICHAEL D
  • DENBAARS STEVEN P
  • SPECK JAMES S
  • NAKAMURA SHUJI
国際特許分類(IPC)
参考情報 (研究プロジェクト等) ERATO NAKAMURA Inhomogeneous Crystal AREA
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