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Pattern formation method, pattern, and device

外国特許コード F110005912
整理番号 E08604TW
掲載日 2011年11月9日
出願国 台湾
出願番号 99111081
公報番号 201109159
出願日 平成22年4月9日(2010.4.9)
公報発行日 平成23年3月16日(2011.3.16)
優先権データ
  • 特願2009-095500 (2009.4.10) JP
発明の名称 (英語) Pattern formation method, pattern, and device
発明の概要(英語)

Disclosed is a pattern formation method comprising: a first step of arranging at least one silane compound selected from the group consisting of silicon hydride compounds and silicon halide compounds in a gap formed between a substrate and a pattern-shaped mold

and a second step of applying at least one treatment selected from a heat treatment and an ultraviolet ray radiation treatment to the arranged silane compound. When the second step is carried out under an inert atmosphere or a reductive atmosphere, a pattern comprising silicon can be formed. When at least a part of the second step is carried out under an oxygen-containing atmosphere, a pattern comprising a silicon oxide can be formed.

  • 出願人(英語)
  • JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
  • 発明者(英語)
  • SHIMODA, TATSUYA,
  • MATSUKI, YASUO,
  • KAWAJIRI, RYO,
  • MASUDA, TAKASHI,
  • KANEDA, TOSHIHIKO
国際特許分類(IPC)
参考情報 (研究プロジェクト等) ERATO SHIMODA Nano-Liquid Process AREA
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