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Amorphous oxide and thin film transistor 実績あり

外国特許コード F110005975
整理番号 E06015TW
掲載日 2011年12月14日
出願国 台湾
出願番号 94106027
公報番号 200534488
公報番号 I336134
出願日 平成17年3月1日(2005.3.1)
公報発行日 平成17年10月16日(2005.10.16)
公報発行日 平成23年1月11日(2011.1.11)
優先権データ
  • 特願2004-071477 (2004.3.12) JP
  • 特願2004-325938 (2004.11.10) JP
発明の名称 (英語) Amorphous oxide and thin film transistor 実績あり
発明の概要(英語) To provide an amorphous oxide and thin film transistor using the same, especially, an amorphous oxide having electron carrier concentration less than 10< SP> 18< /SP> /cm< SP> 3< /SP> and thin film transistor using the same. Using an amorphous oxide having electron carrier concentration less than 10< SP> 18< /SP> /cm< SP> 3< /SP> as channeling layer on the thin film transistor comprised of source electrode 6, drain electode 5, gate electrode 4, gate insulation film 3 and channeling layer 2.
  • 出願人(英語)
  • JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
  • 発明者(英語)
  • HOSONO HIDEO,
  • HIRANO MASAHIRO,
  • OTA HIROMICHI,
  • KAMIYA TOSHIO,
  • NOMIRA KENJI
国際特許分類(IPC)
参考情報 (研究プロジェクト等) ERATO HOSONO Transparent ElectroActive Materials AREA
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