TOP > Tunnel transistors with spin-dependent output characteristics and their nonvolatile memory applications > ${特許群の名称} > ${発明の名称}

Tunnel transistors with spin-dependent output characteristics and their nonvolatile memory applications

外国特許コード F110005980
整理番号 K02009TW
掲載日 2011年12月15日
出願国 台湾
出願番号 93108802
公報番号 200501408
公報番号 I311812
出願日 平成16年3月31日(2004.3.31)
公報発行日 平成17年1月1日(2005.1.1)
公報発行日 平成21年7月1日(2009.7.1)
優先権データ
  • 特願2003-095600 (2003.3.31) JP
発明の名称 (英語) Tunnel transistors with spin-dependent output characteristics and their nonvolatile memory applications
発明の概要(英語) The present invention provides a MISFET using a ferromagnetic semiconductor as the channel layer and a ferromagnetic contact for the source (and/or drain). The output current of the MISFET can be controlled not only by the bias conditions but also by the relative magnetization configuration of the ferromagnetic channel layer and the ferromagnetic source (or ferromagnetic drain). Binary data can be stored in the MISFET as the relative magnetization configuration, and the data can be electrically sensed by the magnetization-configuration-dependent output characteristics. Using the electric-field control of the ferromagnetism of the channel layer, a current required for writing data can be significantly reduced. The present MISFET can comprise a high performance nonvolatile memory cell suitable for ultrahigh density integration.
  • 出願人(英語)
  • JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENC
  • 発明者(英語)
  • SUGAHARA, SATOSHI,
  • TANAKA, MASAAKI
国際特許分類(IPC)
参考情報 (研究プロジェクト等) PRESTO Nanostructure and Material Property AREA
ライセンスをご希望の方、特許の内容に興味を持たれた方は、問合せボタンを押してください。

PAGE TOP

close
close
close
close
close
close