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ORGANIC FIELD EFFECT TRANSISTOR

外国特許コード F120006122
整理番号 S2008-0717
掲載日 2012年1月6日
出願国 アメリカ合衆国
出願番号 200913001585
公報番号 20110101326
公報番号 08569746
出願日 平成21年6月4日(2009.6.4)
公報発行日 平成23年5月5日(2011.5.5)
公報発行日 平成25年10月29日(2013.10.29)
国際出願番号 WO2009JP60237
国際出願日 平成21年6月4日(2009.6.4)
優先権データ
  • 特願2008-163968 (2008.6.24) JP
発明の名称 (英語) ORGANIC FIELD EFFECT TRANSISTOR
発明の概要(英語)

An organic field effect transistor including an organic semiconductor layer constituting a current path between a source electrode and a drain electrode wherein the organic semiconductor layer is made of a conjugated polymer having a depletion layer and a conductivity of the organic semiconductor layer is controlled by using a gate electrode, wherein the depletion layer is formed by joining a reductive material being capable of forming Schottky contact with the organic semiconductor layer made of the conjugated polymer. There can be provided an organic field effect transistor using a conjugated polymer as an organic semiconductor and being capable of maintaining an insulation property.

  • 発明者/出願人(英語)
  • NAGAMATSU SHUICHI
  • TAKASHIMA WATARU
  • KANETO KEIICHI
  • KYUSHU INSTITUTE OF TECHNOLOGY
  • NAGAMATSU SHUICHI
  • TAKASHIMA WATARU
  • KANETO KEIICHI
国際特許分類(IPC)
米国特許分類/主・副
  • 257/E51.005
  • 257/40
詳細は、下記「問合せ先」まで直接お問い合わせください。

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