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Growth of non-polar M-plane III-nitride film using metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) 実績あり

外国特許コード F120006161
整理番号 E06714US2
掲載日 2012年1月26日
出願国 アメリカ合衆国
出願番号 87011507
公報番号 20080026502
公報番号 08097481
出願日 平成19年10月10日(2007.10.10)
公報発行日 平成20年1月31日(2008.1.31)
公報発行日 平成24年1月17日(2012.1.17)
発明の名称 (英語) Growth of non-polar M-plane III-nitride film using metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) 実績あり
発明の概要(英語) A method of growing non-polar m-plane III-nitride film, such as GaN, AlN, AlGaN or InGaN, wherein the non-polar m-plane III-nitride film is grown on a suitable substrate, such as an m-SiC, m-GaN, LiGaO2 or LiAlO2 substrate, using metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD). The method includes performing a solvent clean and acid dip of the substrate to remove oxide from the surface, annealing the substrate, growing a nucleation layer, such as aluminum nitride (AlN), on the annealed substrate, and growing the non-polar m-plane III-nitride film on the nucleation layer using MOCVD.
  • 発明者/出願人(英語)
  • Imer, Bilge M.; Goleta, CA [US]
  • Speck, James S.; Goleta, CA [US]
  • DenBaars, Steven P.; Goleta, CA [US]
  • Imer, Bilge M.; Goleta CA [US]
  • Speck, James S.; Goleta CA [US]
  • DenBaars, Steven P.; Goleta CA [US]
  • Nakamura, Shuji; Santa Barbara CA [US]
  • THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA; 1111 Franklin Street, 12th Floor, Oakland, CA [US]
  • The Regents of the University of California, Oakland CA [US]
  • Japan Science and Technology Agency, Saitama Prefecture [JP]
国際特許分類(IPC)
米国特許分類/主・副
  • 438/46
  • 438/767
  • 438/481
  • 438/590
  • 438/604
参考情報 (研究プロジェクト等) ERATO NAKAMURA Inhomogeneous Crystal AREA
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