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SPIN-POLARIZED ELECTRON SOURCE

外国特許コード F120006227
掲載日 2012年2月14日
出願国 アメリカ合衆国
出願番号 73627009
公報番号 20110089397
公報番号 08344354
出願日 平成21年3月24日(2009.3.24)
公報発行日 平成23年4月21日(2011.4.21)
公報発行日 平成25年1月1日(2013.1.1)
国際出願番号 WO2009JP01304
国際出願日 平成21年3月24日(2009.3.24)
優先権データ
  • 特願2008-079292 (2008.3.25) JP
発明の名称 (英語) SPIN-POLARIZED ELECTRON SOURCE
発明の概要(英語)

A spin-polarized electron generating device includes a substrate, a buffer layer, a strained superlattice layer formed on the buffer layer, and an intermediate layer formed of a crystal having a lattice constant greater than a lattice constant of a crystal of the buffer layer, the intermediate layer intervening between the substrate and the buffer layer. The buffer layer includes cracks formed in a direction perpendicular to the substrate by tensile strain.

  • 発明者/出願人(英語)
  • UJIHARA TORU
  • JIN XIUGUANG
  • TAKEDA YOSHIKAZU
  • NAKANISHI TSUTOMU
  • YAMAMOTO NAOTO
  • SAKA TAKASHI
  • KATO TOSHIHIRO
  • JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
国際特許分類(IPC)
米国特許分類/主・副
  • 257/E29.068
  • 257/11
  • 257/76
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