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Miscut semipolar optoelectronic device

外国特許コード F120006236
整理番号 E06725US2
掲載日 2012年2月14日
出願国 アメリカ合衆国
出願番号 71018110
公報番号 20100148195
公報番号 08110482
出願日 平成22年2月22日(2010.2.22)
公報発行日 平成22年6月17日(2010.6.17)
公報発行日 平成24年2月7日(2012.2.7)
発明の名称 (英語) Miscut semipolar optoelectronic device
発明の概要(英語) A method for improved growth of a semipolar (Al,In,Ga,B)N semiconductor thin film using an intentionally miscut substrate. Specifically, the method comprises intentionally miscutting a substrate, loading a substrate into a reactor, heating the substrate under a flow of nitrogen and/or hydrogen and/or ammonia, depositing an InxGa1-xN nucleation layer on the heated substrate, depositing a semipolar nitride semiconductor thin film on the InxGa1-xN nucleation layer, and cooling the substrate under a nitrogen overpressure.
  • 発明者/出願人(英語)
  • Kaeding, John F.; Mountain View, CA [US]
  • Lee, Dong-Seon; Anyang-Si [KR]
  • Iza, Michael; Santa Barbara, CA [US]
  • Baker, Troy J.; Santa Barbara, CA [US]
  • Sato, Hiroshi; Kanagawa [JP]
  • Haskell, Benjamin A.; Santa Barbara, CA [US]
  • Speck, James S.; Goleta, CA [US]
  • DenBaars, Steven P.; Goleta, CA [US]
  • Nakamura, Shuji; Santa Barbara, CA [US]
  • Kaeding, John F.; Mountain View CA [US]
  • Iza, Michael; Santa Barbara CA [US]
  • Baker, Troy J.; Santa Barbara CA [US]
  • Sato, Hitoshi; Kanagawa [JP]
  • Haskell, Benjamin A.; Santa Barbara CA [US]
  • Speck, James S.; Goleta CA [US]
  • DenBaars, Steven P.; Goleta CA [US]
  • Nakamura, Shuji; Santa Barbara CA [US]
  • THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA; Oakland, CA [US]
  • The Regents of the University of California, Oakland CA [US]
  • Japan Science and Technology Agency, Saitama Prefecture [JP]
国際特許分類(IPC)
米国特許分類/主・副
  • 438/478
  • 438/479
  • 438/604
  • 438/775
  • 257/200
  • 257/201
  • 257/628
  • 257/E21.113
参考情報 (研究プロジェクト等) ERATO NAKAMURA Inhomogeneous Crystal AREA
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