TOP > 外国特許検索 > TECHNIQUE FOR THE GROWTH OF PLANAR SEMI-POLAR GALLIUM NITRIDE

TECHNIQUE FOR THE GROWTH OF PLANAR SEMI-POLAR GALLIUM NITRIDE 実績あり

外国特許コード F120006302
整理番号 E06712US3
掲載日 2012年3月12日
出願国 アメリカ合衆国
出願番号 69796110
公報番号 20100133663
公報番号 08128756
出願日 平成22年2月1日(2010.2.1)
公報発行日 平成22年6月3日(2010.6.3)
公報発行日 平成24年3月6日(2012.3.6)
優先権データ
  • 20070621482 (2007.1.9) US
  • 20060372914 (2006.3.10) US
  • 20050660283P (2005.3.10) US
発明の名称 (英語) TECHNIQUE FOR THE GROWTH OF PLANAR SEMI-POLAR GALLIUM NITRIDE 実績あり
発明の概要(英語)

A method for growing planar, semi-polar nitride film on a miscut spinel substrate, in which a large area of the planar, semi-polar nitride film is parallel to the substrate's surface. The planar films and substrates are: (1) {10 11} gallium nitride (GaN) grown on a {100} spinel substrate miscut in specific directions, (2) {10 13 } gallium nitride (GaN) grown on a {110} spinel substrate, (3) {11 22} gallium nitride (GaN) grown on a {1 100} sapphire substrate, and (4) {10 13} gallium nitride (GaN) grown on a {1 100} sapphire substrate.

  • 発明者/出願人(英語)
  • BAKER TROY J
  • HASKELL BENJAMIN A
  • FINI PAUL T
  • DENBAARS STEVEN P
  • SPECK JAMES S
  • NAKAMUA SHUJI
  • THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA
  • JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
国際特許分類(IPC)
米国特許分類/主・副
  • 117/101
  • 148/33
  • 257/E21.113
  • 257/E21.121
  • 257/E21.463
  • 257/E29.004
  • 257/628
  • 438/46
  • 438/47
  • 438/479
  • 438/938
参考情報 (研究プロジェクト等) ERATO NAKAMURA Inhomogeneous Crystal AREA
ライセンスをご希望の方、特許の内容に興味を持たれた方は、問合せボタンを押してください。

PAGE TOP

close
close
close
close
close
close