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AMORPHOUS OXIDE AND THIN FILM TRANSISTOR 実績あり

外国特許コード F120006715
整理番号 E06015US2-1
掲載日 2012年5月28日
出願国 アメリカ合衆国
出願番号 201113097572
公報番号 20110201162
出願日 平成23年4月29日(2011.4.29)
公報発行日 平成23年8月18日(2011.8.18)
優先権データ
  • 特願2004-071477 (2004.3.12) JP
  • 特願2004-325938 (2004.11.10) JP
発明の名称 (英語) AMORPHOUS OXIDE AND THIN FILM TRANSISTOR 実績あり
発明の概要(英語) The present invention relates to an amorphous oxide and a thin film transistor using the amorphous oxide. In particular, the present invention provides an amorphous oxide having an electron carrier concentration less than 1018/cm3, and a thin film transistor using such an amorphous oxide. In a thin film transistor having a source electrode 6, a drain electrode 5, a gate electrode 4, a gate insulating film 3, and a channel layer 2, an amorphous oxide having an electron carrier concentration less than 1018/cm3 is used in the channel layer 2.
  • 発明者/出願人(英語)
  • Hosono, Hideo; Kanagawa [JP]
  • Hirano, Masahiro; Tokyo [JP]
  • Ota, Hiromichi; Aichi [JP]
  • Kamiya, Toshio; Kanagawa [JP]
  • Nomura, Kenji; Tokyo [JP]
  • JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY; Kawaguchi-shi [JP]
国際特許分類(IPC)
米国特許分類/主・副
  • 438/163
参考情報 (研究プロジェクト等) ERATO HOSONO Transparent ElectroActive Materials AREA
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