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METHOD FOR FORMING POLYCRYSTALLINE THIN FILM OF Si AND/OR Ge ON SUBSTRATE

外国特許コード F120006931
整理番号 S2010-1235
掲載日 2012年10月11日
出願国 世界知的所有権機関(WIPO)
国際出願番号 2012JP050551
国際公開番号 WO 2012/096364
国際出願日 平成24年1月13日(2012.1.13)
国際公開日 平成24年7月19日(2012.7.19)
優先権データ
  • 特願2011-004559 (2011.1.13) JP
発明の名称 (英語) METHOD FOR FORMING POLYCRYSTALLINE THIN FILM OF Si AND/OR Ge ON SUBSTRATE
発明の概要(英語)

A polycrystalline thin film (4) which contains Si and/or Ge is efficiently formed at low cost by forming a catalyst layer (2) on a substrate (3) that is formed of glass or the like and supplying a starting material that contains Si and/or Ge onto the catalyst layer by a dry process, while heating the substrate on which the catalyst layer has been formed.

  • 出願人(英語)
  • ※2012年7月以前掲載分については米国以外のすべての指定国
  • SHIBAURA INSTITUTE OF TECHNOLOGY,
  • KYUNO KENTARO,
  • MIURA MASAHIRO,
  • KOMIYA TAKUMI,
  • TAKEE TOSHINORI,
  • HIROSE KOJI,
  • MIURA HIROYUKI
  • 発明者(英語)
  • KYUNO KENTARO,
  • MIURA MASAHIRO,
  • KOMIYA TAKUMI,
  • TAKEE TOSHINORI,
  • HIROSE KOJI,
  • MIURA HIROYUKI
国際特許分類(IPC)

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