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Thin film silicon solar cell and process for production thereof

外国特許コード F120007045
整理番号 E086P20TW
掲載日 2012年11月20日
出願国 台湾
出願番号 100121742
公報番号 201214740
出願日 平成23年6月21日(2011.6.21)
公報発行日 平成24年4月1日(2012.4.1)
優先権データ
  • 特願2010-140863 (2010.6.21) JP
発明の名称 (英語) Thin film silicon solar cell and process for production thereof
発明の概要(英語)

A process for producing a thin film silicon solar cell (11A) comprising a step of forming a first electrode (3) on a substrate, a step of laminating an n-type silicon layer (5An), an i-type silicon layer (5Ai) and a p-type silicon layer (5Ap) on the first electrode (3) by a technique in which a solution containing polysilane is applied in the form of a pattern under an inert gas atmosphere and the pattern is dried to thereby form a silicon layer (5A), and a step of forming a second electrode (8) on the silicon layer (5A), wherein, in the step of forming the silicon layer (5A), at least one layer selected from the n-type silicon layer (5An), the i-type silicon layer (5Ai) and the p-type silicon layer (5Ap) is subjected to a dangling bond reduction treatment. It is possible to provide a process for producing a thin film silicon solar cell employing a coating method, which can produce the solar cell in a simple manner and does not undergo the increase in dangling bonds in a silicon layer.

  • 出願人(英語)
  • KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA,
  • JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY,
  • JSR CORPORATION
  • 発明者(英語)
  • SAKURAI, NAOAKI,
  • NAKA, TOMOMICHI,
  • SHIOZAWA, KAZUFUMI,
  • KONDO, HIROYASU,
  • SHIMODA, TATSUYA,
  • MATSUKI, YASUO,
  • MASUDA, TAKASHI
国際特許分類(IPC)
参考情報 (研究プロジェクト等) ERATO SHIMODA Nano-Liquid Process AREA
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