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Process for production of functional device, process for production of ferroelectric material layer, process for production of field effect transistor, thin film transistor, field effect transistor, and piezoelectric inkjet head

外国特許コード F120007046
整理番号 E08608TW
掲載日 2012年11月20日
出願国 台湾
出願番号 100116093
公報番号 201208080
公報番号 I514585
出願日 平成23年5月6日(2011.5.6)
公報発行日 平成24年2月16日(2012.2.16)
公報発行日 平成27年12月21日(2015.12.21)
優先権データ
  • 特願2010-107764 (2010.5.7) JP
  • 特願2010-107768 (2010.5.7) JP
  • 特願2010-118857 (2010.5.24) JP
発明の名称 (英語) Process for production of functional device, process for production of ferroelectric material layer, process for production of field effect transistor, thin film transistor, field effect transistor, and piezoelectric inkjet head
発明の概要(英語) A process for producing a functional device, comprising the following steps in this order: a functional solid material precursor layer formation step of applying a functional liquid material on a base material to form a layer of a precursor of a functional solid material (i.e., a precursor layer); a drying step of heating the precursor layer at a first temperature falling within the range from 80 to 250 DEG C to decrease the flowability of the precursor layer previously; an embossing step of embossing the precursor layer while heating the precursor layer at a second temperature falling within the range from 80 to 300 DEG C to form an embossed structure on the precursor layer; and a functional solid material layer formation step of heating the precursor layer at a third temperature that is higher than the second temperature to form a functional solid material layer from the precursor layer.
  • 出願人(英語)
  • JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
  • 発明者(英語)
  • SHIMODA TATSUYA
  • TOKUMITSU EISUKE
  • MIYASAKO TAKAAKI
  • KANEDA TOSHIHIKO
国際特許分類(IPC)
参考情報 (研究プロジェクト等) ERATO SHIMODA Nano-Liquid Process AREA
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