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Precursor composition and method for forming amorphous conductive oxide film

外国特許コード F120007050
整理番号 E086P23TW
掲載日 2012年11月22日
出願国 台湾
出願番号 100124788
公報番号 201224068
公報番号 I480341
出願日 平成23年7月13日(2011.7.13)
公報発行日 平成24年6月16日(2012.6.16)
公報発行日 平成27年4月11日(2015.4.11)
優先権データ
  • 特願2010-159475 (2010.7.14) JP
発明の名称 (英語) Precursor composition and method for forming amorphous conductive oxide film
発明の概要(英語) The present invention provides a precursor composition for forming a conductive oxide film which has high electrical conductivity and in which an amorphous structure can be maintained steadily even when the film is heated to a high temperature, in a simple liquid phase process.
This precursor composition comprises: at least one compound selected from the group consisting of carboxylic acid salts, nitric acid salts and sulfuric acid salts of lanthanoid elements (excluding cerium), at least one compound selected from the group consisting of carboxylic acid salts, nitrosyl carboxylic acid salts, nitrosyl nitric acid salts and nitrosyl sulfuric acid salts of ruthenium, iridium and rhodium, and a solvent comprising at least one compound selected from the group consisting of carboxylic acids, alcohols and ketones.
  • 出願人(英語)
  • JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
  • 発明者(英語)
  • SHIMODA TATSUYA
  • LI JIN-WANG
国際特許分類(IPC)
参考情報 (研究プロジェクト等) ERATO SHIMODA Nano-Liquid Process AREA
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