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Growth of planar non-polar (1-100) m-plane gallium nitride with metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) 実績あり

外国特許コード F120007056
整理番号 E06714KR-D1
掲載日 2012年11月22日
出願国 大韓民国
出願番号 20127010536
公報番号 20120064713
公報番号 101499203
出願日 平成18年5月31日(2006.5.31)
公報発行日 平成24年6月19日(2012.6.19)
公報発行日 平成27年3月18日(2015.3.18)
国際出願番号 US2006020995
国際公開番号 WO2006130622
国際出願日 平成18年5月31日(2006.5.31)
国際公開日 平成18年12月7日(2006.12.7)
優先権データ
  • 60/685,908P (2005.5.31) US
  • 2006US020995 (2006.5.31) WO
発明の名称 (英語) Growth of planar non-polar (1-100) m-plane gallium nitride with metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) 実績あり
発明の概要(英語) A method of growing planar non-polar m-plane III-Nitride material, such as an m-plane gallium nitride (GaN) epitaxial layer, wherein the III-Nitride material is grown on a suitable substrate, such as an m-plane silicon carbide (m-SiC) substrate, using metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD).
The method includes performing a solvent clean and acid dip of the substrate to remove oxide from the surface, annealing the substrate, growing a nucleation layer such as an aluminum nitride (AlN) on the annealed substrate, and growing the non-polar m-plane III-Nitride epitaxial layer on the nucleation layer using MOCVD.
(From US7338828 B2)
  • 出願人(英語)
  • JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
  • UNIVERSITY OF CALIFORNIA
  • 発明者(英語)
  • IMER BILGE M
  • SPECK JAMES S
  • DENBAARS STEVEN P
  • NAKAMURA SHUJI
国際特許分類(IPC)
参考情報 (研究プロジェクト等) ERATO NAKAMURA Inhomogeneous Crystal AREA
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