TOP > 外国特許検索 > PERYLENE TETRACARBOXYLIC ACID BISIMIDE DERIVATIVE, n-TYPE SEMICONDUCTOR, PROCESS FOR PRODUCING n-TYPE SEMICONDUCTOR, AND ELECTRONIC DEVICE

PERYLENE TETRACARBOXYLIC ACID BISIMIDE DERIVATIVE, n-TYPE SEMICONDUCTOR, PROCESS FOR PRODUCING n-TYPE SEMICONDUCTOR, AND ELECTRONIC DEVICE コモンズ 新技術説明会

外国特許コード F130007213
整理番号 743-1164
掲載日 2013年3月7日
出願国 世界知的所有権機関(WIPO)
国際出願番号 2012JP059270
国際公開番号 WO 2012/137853
国際出願日 平成24年4月4日(2012.4.4)
国際公開日 平成24年10月11日(2012.10.11)
優先権データ
  • 特願2011-083220 (2011.4.4) JP
発明の名称 (英語) PERYLENE TETRACARBOXYLIC ACID BISIMIDE DERIVATIVE, n-TYPE SEMICONDUCTOR, PROCESS FOR PRODUCING n-TYPE SEMICONDUCTOR, AND ELECTRONIC DEVICE コモンズ 新技術説明会
発明の概要(英語)

Provided is a perylene tetracarboxylic acid bisimide derivative which enables the production of an n-type semiconductor having high carrier mobility and has excellent solubility. A perylene tetracarboxylic acid bisimide derivative characterized by being represented by chemical formula (I), a tautomer or stereoisomer of the derivative, or a salt of the derivative or the tautomer or stereoisomer. In chemical formula (I), R1 to R6 independently represent a hydrogen atom, an organooligosiloxane or any substituent, wherein at least one represents a univalent substituent derived from an organooligosiloxane

L1 and L2 independently represent a single bond or a linking group

R7 to R10 independently represent a lower alkyl group or a halogen atom

and o, p, q and r independently represent an integer of 0 to 2.

  • 出願人(英語)
  • ※2012年7月以前掲載分については米国以外のすべての指定国
  • NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION KAGAWA UNIVERSITY,
  • FUNAHASHI MASAHIRO,
  • TAKEUCHI NOZOMI
  • 発明者(英語)
  • FUNAHASHI MASAHIRO,
  • TAKEUCHI NOZOMI
国際特許分類(IPC)
参考情報 (研究プロジェクト等) S2011-0337-C0
四国TLOは四国内20大学・高専のシーズをご紹介しております。シーズの詳細内容につきましては下記までお問い合わせください。
お問い合わせをお待ちしております。

PAGE TOP

close
close
close
close
close
close